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电子元器件详细资料 » IC[27035] » SI7530DP-T1-E3
型号:SI7530DP-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SO-8描述:MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3A,3.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C75 毫欧 @ 4.6A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs20nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.4W,1.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SO-8
供应商设备封装PowerPAK? SO-8
包装剪切带 (CT)

供应商

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SI7530DP-T1-E3相关型号

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